High Bandwidth Memory (HBM)
High Bandwidth Memory 這項技術在人工智慧 (AI)、高效能運算 (HPC) 到GPU 等應用中起著關鍵作用。HBM 通過垂直堆疊記憶體晶片來實現其高速資料傳輸，與傳統的平面記憶體佈局相比，顯著減少了資料必須傳輸的距離。這種結構不僅提高了頻寬，而且提高了能源效率，並減少了記憶體模組所需的物理空間。
HBM 的演進和世代
HBM 的第一個版本，簡稱為 HBM 或 HBM1，它為 3D 記憶體技術奠定了基礎。它的繼任者是 HBM2 和 HBM2E，每一代在速度、容量和效率方面都有所改進。HBM3 是截至 2024 年的最新一代，其擴展版本 HBM3E 進一步突破了界限，提供了前所未有的性能水平。
HBM3:第三代
HBM3 由 JEDEC 於 2022 年 1 月推出，代表著記憶體技術的重大進步。它可以支援更大的密度、更高的運行速度、更多的 bank 數量以及先進的可靠性、可用性和可維修性 (RAS) 功能。HBM3 裝置可以提供高達 32 Gb 的密度，並支援最多 16 層堆疊，總儲存容量為 64 GB，與 HBM2E 相比，增長了近三倍。HBM3 的最高速度為 6.4 Gbps，幾乎是 HBM2E 3.6 Gbps 最高速度的兩倍。
HBM3E:Extended
HBM3E 是 HBM3 的延伸版本，為了進一步提高資料速率和容量。它的每個引腳運行速度超過 9.2 Gbps，提供超過 1.2 TB/s 的頻寬，功耗比競爭對手低 30%。HBM3E 提供 8 層 24GB 和 12 層 36GB 的配置，為 AI 訓練和推理系統等要求嚴格的應用提供業界領先的性能和效率。
HBM3 和 HBM3E 的供應商
HBM3 和 HBM3E 的主要供應商是 SK 海力士、三星和美光。
SK 海力士 一直處於領先地位，率先宣布大規模生產 HBM3E，目標是 AI 應用。他們的 HBM3E 晶片可以每秒處理高達 1.18 TB 的資料，展示了資料處理速度和散熱性能的顯著改進。
三星 宣布了其 HBM3E 變體 "Shinebolt"，提供高達 9.8Gbps 的記憶體速度。三星的 HBM3E 為了在為高端處理器設定新的記憶體頻寬和容量標準。
美光 推出了其 HBM3E，引腳速度超過 9.2Gbps，實現了超過 1.2 TB/s 的業界領先頻寬。美光的 HBM3E 以其能效著稱，功耗比市場上其他競爭對手低 30%。
寫在後面
高頻寬記憶體的演進，從其開始到最新的 HBM3 和 HBM3E 版本，代表了記憶體技術的關鍵進步。這些發展對於支援現代計算應用的不斷增長的需求至關重要，包括 AI、HPC 和先進的圖形處理。SK 海力士、三星和美光的貢獻對於突破記憶體技術的可能性至關重要，提供了不僅更快、更高效，而且更緊湊、更節能的解決方案。隨著對計算性能和效率的需求不斷增長，HBM 及其未來版本的作用無疑將變得更加重要。
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